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標(biāo)題: 中科院光電所激光工程中心研制成功高消光比雙電光開關(guān) [打印本頁]

作者: 寂靜天花板 時間: 2015-12-2 19:00
標(biāo)題: 中科院光電所激光工程中心研制成功高消光比雙電光開關(guān)
近日，基于自由電子激光器的應(yīng)用需求，中科院光電研究所激光工程中心研發(fā)了一套高消光比雙電光驅(qū)動開關(guān)系統(tǒng)。相關(guān)技術(shù)也已獲得國家發(fā)明專利。該高消光比雙電光驅(qū)動開關(guān)系統(tǒng)采用半波電壓較低的RTP晶體作為電光開關(guān)，實現(xiàn)的技術(shù)指標(biāo)如下：
1)脈沖上升沿及下降沿小于10ns；

2)脈沖寬度：10μs-1ms可調(diào)，脈寬抖動＜10 ns；

3)重復(fù)頻率1Hz-1kHz可調(diào)；

4)驅(qū)動高壓從1200V~2000V可調(diào)，計算機(jī)顯示和控制；

5)消光比大于2000:1。

高消光比電光驅(qū)動開關(guān)技術(shù)因具有開關(guān)速度快、開關(guān)徹底和口徑大等特點，在調(diào)Q激光器、超快激光器的研究領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用。目前電光Q開關(guān)驅(qū)動源已經(jīng)成功應(yīng)用在立體平板印刷術(shù)、硬盤電阻微調(diào)、存儲修復(fù)、通孔修復(fù)、通孔打鉆、印刷電路板制作、晶片雕刻等方面。

此技術(shù)由麻云鳳副研究員團(tuán)隊研發(fā)。

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