近日,華為Mate 60 Pro手機(jī)搭載的麒麟9000S處理器,將公眾視線再次聚焦到了國(guó)產(chǎn)芯片制造之上。
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雖然目前代工廠未知,工藝未知,甚至GPU、CPU核等都有很多未知,但不妨礙大家的興奮和猜測(cè),那就是沒(méi)有EUV光刻機(jī),我們能不能國(guó)產(chǎn)7nm的芯片? 6 B4 t7 b0 u( e0 {1 e
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事實(shí)上,這個(gè)問(wèn)題已經(jīng)是老生常談了,ASML目前在售的DUV光刻機(jī)中,有四種高端的浸潤(rùn)式光刻機(jī),分別是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。 * k; x% Y; m6 g. ~+ {0 O# `
這4種浸潤(rùn)式光刻機(jī),最高都是能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片工藝的,怎么來(lái)實(shí)現(xiàn)呢,用的是多重曝光技術(shù)。
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并且目前這種多重曝光技術(shù),還有三種不同的方案,三種方案均可以在沒(méi)有EUV光刻機(jī),僅有浸潤(rùn)式光刻機(jī)的情況之下,實(shí)現(xiàn)7nm工藝。 : T l2 I5 @" ~3 W* B p
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這三種方式分別是LELE、LFLE、SADP。
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具體來(lái)說(shuō),LELE是指將原本一層的電路,拆分成幾層進(jìn)行光刻機(jī),這樣即使是DUV光刻機(jī),也可以實(shí)現(xiàn)7nm。 # c9 }. {) q, w/ u3 _( q w
LFLE與LELE差不多,區(qū)別就是LELE是直接拆分成幾層來(lái)光刻,而LFLE則是將第二層光刻膠加在第一層已被化學(xué)凍結(jié)但沒(méi)去除的光刻膠上,再次進(jìn)行光刻,形成兩倍結(jié)構(gòu)。 . Z6 Q$ d% q$ t2 P1 S. o5 y
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而SADP技術(shù)則與上面兩種完全不一樣了,SADP又稱側(cè)墻圖案轉(zhuǎn)移,用沉積、刻蝕技術(shù)提高光刻精度。
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不過(guò)大家要注意的是,不管是LELE,還是LFLE,或者SADF技術(shù),都提高了對(duì)刻蝕、 沉積光刻等工藝的技術(shù)要求,同時(shí)對(duì)工作臺(tái)的要求也非常高,因?yàn)槎啻螌?duì)準(zhǔn),不能有偏移。
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而通過(guò)多重曝光影響也比較大,一是會(huì)導(dǎo)致良率降低,畢竟多曝光一次,誤差肯定就會(huì)變大,所以良率就會(huì)降低一些。
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同時(shí)多曝光一次,就相當(dāng)于光刻的工時(shí)翻倍,效率降低一半,那么成本也會(huì)增加一倍。 3 `& R0 V- i# n$ i% D
所以如果光刻機(jī)精度跟得上的情況下,一般不會(huì)采用多次曝光的技術(shù),因?yàn)樾式档,同時(shí)良率也會(huì)顯著下滑,最終導(dǎo)致成本可能成倍數(shù)上漲,非常不劃算的。 3 k7 L- w* f5 Z
只有在買不到高精度的光刻機(jī),又急需工藝較先進(jìn)的芯片時(shí),就不去考慮成本,不得不采用多重曝光技術(shù)了。 , i9 U: n: X) [8 i
所以我這也算是給大家解釋了,為什么沒(méi)有EUV光刻機(jī),也能夠生產(chǎn)7nm芯片的原因。不過(guò)要進(jìn)入5nm,就必須使用EUV光刻機(jī),因?yàn)镈UV光刻機(jī)精度有限,不能無(wú)限的多次曝光,按照專業(yè)人士的說(shuō)法,目前的DUV光刻技術(shù)下,最多4次曝光,最多也只能達(dá)到7nm。 |