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磁屏蔽理論和實(shí)踐１ 引言 在低頻（ＤＣ到１００ＫＨｚ）磁屏蔽中，設(shè)計(jì)低成本屏蔽體的最關(guān)鍵因素是對(duì)磁屏蔽的透徹理解。其目的是要達(dá)到減少所規(guī)定的磁場，這樣使其對(duì)所屏蔽的器件或系統(tǒng)不形成威脅。一旦這一目標(biāo)被確定，就應(yīng)考慮會(huì)影響到屏蔽體的低成本設(shè)計(jì)的一些基本設(shè)計(jì)因素。這些包括：材料的選擇、主要設(shè)計(jì)參數(shù)和加工工藝。２ 材料的選擇 對(duì)于屏蔽體來說，所選擇的材料的類型對(duì)其性能和成本影響極大。在設(shè)計(jì)屏蔽體時(shí)有一點(diǎn)是重要的，就是要深入了解普通使用的不同屏蔽合金的特性。對(duì)這些不同性能的理解就可使你選擇合適的材料，去滿足目標(biāo)要求。 磁屏蔽材料要根據(jù)各自的特性進(jìn)行選擇，特別是磁導(dǎo)率和磁飽和性能。由于在變更低頻磁場方向的效能，所以高磁導(dǎo)率材料（比如含８０％的鎳合金Ｍumetal,這是一種高磁導(dǎo)率鐵鎳合金）是經(jīng)常使用的屏蔽材料。這些合金可滿足ＭＩＬ－Ｎ－１４４１１Ｃ部分１和ＡＳＴＭ Ａ７５３－９７樣式４的要求。其可得到的相對(duì)較薄的厚度為０.002到0.125英寸，并極易被有經(jīng)驗(yàn)的屏蔽加工者加工出來�！ ≡谛枰跇O小空間內(nèi)降低磁場時(shí)，典型上使用這些合金。在需要提供比要求更高屏蔽時(shí)，或是磁場強(qiáng)度（在較高場強(qiáng)時(shí)更為典型）需要具有更高飽和值材料時(shí)，這些材料常被選中�！ ≡谄帘文繕�(biāo)僅需要稍微減少場強(qiáng)時(shí)（減少１～１／４），或是當(dāng)場強(qiáng)足以使高磁導(dǎo)率屏蔽體飽和時(shí)，超低碳鋼（ＵＬＣＳ）可能是最佳的選擇。這些較低成本材料的碳含量典型小于0.01％；與其它鋼相比，其有較高的磁導(dǎo)率和極優(yōu)的飽和性能。這些材料具有較小的柔韌性，并比硅鋼較容易制造，這就允許在大面積屏蔽項(xiàng)目中容易安裝和以同樣的方式加工出小型組件。ＵＬＣＳ可與高磁導(dǎo)率材料一起使用，以為需要高飽和保護(hù)和高衰減等級(jí)建立最佳的屏蔽體�！ �(duì)于低溫用的屏蔽體，Ｃryoperm�。保埃榈聡鳹accumschmelze GmbHg公司的注冊(cè)商標(biāo)）為一種最佳選擇。與Ｍumetal一樣，Ｃryoperm�。保耙彩且环N高磁導(dǎo)率鎳鐵合金，它是經(jīng)特殊加工而成的，以提供在降低溫度時(shí)磁導(dǎo)率增加。標(biāo)準(zhǔn)的屏蔽合金（比如Ｍumetal）在低溫時(shí)就失去了其大部分磁導(dǎo)率。但是Cryoperm１０可在77.3到４.2°Ｋ時(shí)的磁導(dǎo)率卻增加１０倍。表１示出了最常用的屏蔽材料的磁導(dǎo)率飽和值的比較�！� 飽和 磁導(dǎo)率 材料 （高斯） μ（最大） μ（40） Amumetal（80%鎳） 8，000 400，00 60，000 Amunickel（48%鎳） 15，000 150，000 12，000 Cryoperm10 9，000 250，000 65，000 超低碳鋼 22，000 4，000 1，000 表1 由于材料的成本占屏蔽體價(jià)格的一半，所以使用較薄的尺寸能滿足所要求的屏蔽特性和結(jié)構(gòu)性能是最好了。厚度為0.002到0.010英寸的箔材是最低成本的選擇。這些箔材能以同等的化學(xué)組分和性能特性獲得，并可作為標(biāo)準(zhǔn)的以鎳為基礎(chǔ)的和ＵＬＣＳ材料�！ ≡O(shè)計(jì)低成本屏蔽體的最重要的一步，就是對(duì)這些典型屏蔽材料特性及其對(duì)屏蔽性能影響的了解。一旦合適的材料被選中，其重點(diǎn)要集中于基本的設(shè)計(jì)考慮，以使其不但性能最佳，而且對(duì)成本的影響最小。３ 設(shè)計(jì)考慮 大部分屏蔽體用的公式和模型的開發(fā)是基于圓形或無限長的圓柱體幾何形狀的。在實(shí)際應(yīng)用中，所給定屏蔽體的實(shí)踐形狀由器件結(jié)構(gòu)和屏蔽體自身的可利用空間所決定。在設(shè)計(jì)一屏蔽體時(shí)，要了解的重要的結(jié)構(gòu)是，要使磁力線旋轉(zhuǎn)９０°是困難的。但是，圓形屏蔽體，比如要改變圓柱體或是具有圓形角的盒體的磁力線的方向要比具有方形角的屏蔽體容易一些。類似地，對(duì)于包容已進(jìn)入屏蔽材料的磁力線并改變其方向，圓角要比尖角好一些。保持可提供低磁阻路徑的屏蔽體形狀簡單或磁場運(yùn)動(dòng)的“最低磁阻路徑”是很重要的。 屏蔽體的尺寸在屏蔽效率和成本方面的重要性極大。屏蔽體的有效半徑越小，其整體性能就越好。但是，設(shè)計(jì)屏蔽體的目的是使其包絡(luò)試圖屏蔽的組件和空間，并應(yīng)該靠得很近。由于材料占屏蔽體設(shè)計(jì)的大部分成本，因此較小屏蔽體就可以在較低成本下獲得較優(yōu)的性能。 每當(dāng)有可能，屏蔽體應(yīng)與所有壁靠近，以避免場泄漏。這種結(jié)構(gòu)（即使是矩形）也是最接近于圓形的，它可以建立一個(gè)半閉合的磁路。另外，全部箱體可在所有軸上獲得屏蔽特性，這樣就可以保證最好的屏蔽性能。當(dāng)特殊的性能和進(jìn)出口需要時(shí)，可移動(dòng)的蓋板、罩和門均可組合到屏蔽體設(shè)計(jì)中去�！ ≡诶蒙w板、罩和門時(shí)或使用兩塊或多塊板構(gòu)建屏蔽體時(shí)，在多塊板間保持磁連續(xù)性和電接觸是很重要的。可通過機(jī)械式（利用磨擦組件）或焊接保持磁連續(xù)性。在拐角或過渡連接，使用焊接可獲得最佳性能。維持表面間的連續(xù)性就可以保證磁力線連續(xù)沿其低磁阻路徑前進(jìn)，這樣可以提高屏蔽效能。在交流場，保持磁連續(xù)性就允許較高的感應(yīng)電流屏蔽，在直流場，對(duì)于適當(dāng)?shù)拇帕�分路，連續(xù)性也是重要的�！ ∪绻悴荒芸拷帘误w的一端或兩端，要特別注意開端的長一直徑比。屏蔽體的這種長—直徑比至少應(yīng)為４：１，以避免“端接效應(yīng)”和磁力線穿透屏蔽體范圍。經(jīng)驗(yàn)法則是，屏蔽體需要延伸到器件的外部，這樣可以用與開孔半徑相等部分進(jìn)行保護(hù)。由于增加了屏蔽體的長度同時(shí)保持直徑不變，就可以用無限長圓柱體模型進(jìn)行近似。當(dāng)圓柱型或矩形屏蔽體需要大的開孔時(shí)，垂直于屏蔽體壁的的管可用于由于開孔而引起屏蔽體的磁場強(qiáng)度的減少。管的長度應(yīng)正比于所屏蔽的開孔的直徑�！ ≡谠O(shè)計(jì)過程早期就應(yīng)考慮這些問題，可使這些主要設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)屏蔽體的成本影響較小。但是，這些因素要比材料本身對(duì)屏蔽體性能的影響要大。這樣，在設(shè)計(jì)屏蔽體時(shí)，最先保證這些基本參數(shù)通常是需要的。 ４ 生產(chǎn)技術(shù) 一種好的屏蔽體設(shè)計(jì)要涉及到加工過程，其可提供所需要的結(jié)構(gòu)和特性。在過去，大部分磁屏蔽體是用標(biāo)準(zhǔn)的精密片狀金屬加工技術(shù)通過剪切、穿孔、成型和焊接加工出來的�，F(xiàn)在，利用先進(jìn)的激光切割系統(tǒng)，個(gè)別部件的剪切和計(jì)算機(jī)化的數(shù)字控制沖孔都由一步激光切割技術(shù)所代替。主要的屏蔽元件的一步加工技術(shù)可使加工時(shí)間更快和降低加工成本，而無須高成本的加工方法。特別是對(duì)于型材和特殊設(shè)備（比如專用切割和系列化），這種過程可為屏蔽設(shè)計(jì)者提供更大的靈活性�！ ±媚覆牟⑹褂每p隙和連接點(diǎn)的氬弧焊或疊層縫隙的點(diǎn)焊，就可以組裝多個(gè)屏蔽元件。氬弧焊可使組裝的屏蔽體得到最佳化的磁連續(xù)性，它可用于使用高屏蔽性能方面。對(duì)于大部分應(yīng)用，與氬弧焊相比，法蘭和疊層連接的點(diǎn)焊可獲得更高級(jí)的磁連續(xù)性。 為使典型的屏蔽合金（如Mumetal）達(dá)到最佳性能，還要進(jìn)行特殊的被稱為氫退火的熱處理循環(huán)。一旦所有加工過程完成，就可以進(jìn)行退火過程。但在退火以后，對(duì)屏蔽體進(jìn)行沖擊和振動(dòng)試驗(yàn)，將降低材料的性能。嚴(yán)格遵守所規(guī)定的退火周期，不但能保證獲得最佳磁屏蔽性能，而且還可以將未退火材料的磁導(dǎo)率平均提高４０倍。５ 結(jié)論 對(duì)所規(guī)定的屏蔽任務(wù)的了解有助于最好的材料、結(jié)構(gòu)和加工藝的選擇。這種評(píng)價(jià)可在最佳成本下保持最好的屏蔽性能。 |
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樓主: wpc
發(fā)表于 2006-10-2 22:31:24
