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美國(guó)黑科技:激光使電子設(shè)備不再依賴半導(dǎo)體材料

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發(fā)表于 2016-11-30 12:38:02 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
據(jù)外媒報(bào)道,美國(guó)加州大學(xué)圣地亞哥分?茖W(xué)家開(kāi)發(fā)了一種新型微電子設(shè)備,未來(lái)PC中由半導(dǎo)體材料制造的處理器可能被取而代之。5 ]# Q# C, u5 M$ @0 x% M

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這一新技術(shù)還處于早期的開(kāi)發(fā)階段,但它牽涉一些有趣的研究和頗具科幻色彩的概念。加州大學(xué)圣地亞哥分校工程師開(kāi)發(fā)了一種由光控制的微電子設(shè)備,其中包含由金納米管構(gòu)成的超穎表面。受到激光照射后,超穎表面能產(chǎn)生高強(qiáng)度電場(chǎng)。
這種不采用半導(dǎo)體材料的新型微電子設(shè)備,有朝一日將解決現(xiàn)代微處理器所面臨的一個(gè)難題。處理器依靠電子遷移正常運(yùn)行,問(wèn)題是,這些電子會(huì)不斷與原子碰撞,其中許多電子可能遷移不到它們的目的地——在處理器運(yùn)行過(guò)程中,許多電子損耗了。
這種新型微電子設(shè)備通過(guò)“模仿”老式真空管——當(dāng)然是在微尺度上,嘗試解決這一問(wèn)題。設(shè)備中的蘑菇形狀納米管,在硅晶圓上形成超穎表面,兩者用二氧化硅層隔開(kāi)。當(dāng)施加低直流電壓、照射低能量紅外激光時(shí),這一結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生高強(qiáng)度電場(chǎng),使電子能“自由”遷移。
這種試驗(yàn)性技術(shù)能一次性使更多電子受到控制,受到更少干擾,這意味著采用這一技術(shù)制造的處理器性能將超過(guò)當(dāng)前基于半導(dǎo)體材料的處理器。這一技術(shù)被應(yīng)用在智能手機(jī)中還需要相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間,但它是解決現(xiàn)代電子設(shè)備面臨的一個(gè)幾乎無(wú)解問(wèn)題的有趣概念和途徑。
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